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三星宣布突破10nm DRAM技术新型内存容量、性能有望大提

12月17日，据TheElec消息，三星联合三星先进技术研究所（SAIT）已成功研发出一款新型晶体管，可支持在10纳米以下制程节点制造DRAM芯片。这项技术突破有望突破移动内存持续微缩过程中遭遇的核心...